存储技术竞赛加剧！长鑫年底将推出4F² DDR5，三星也确认技术开发完成

近日，第28届半导体博览会（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区的COEX会展中心隆重举行。三星电子在展会上宣布，其新一代4F² DRAM技术的研发已经顺利结束，计划根据客户的需求进行量产的策略调整。与此同时，中国的长鑫存储宣称将于2026年底推出基于4F²架构的服务器DDR5 RDIMM产品，这一消息瞬间引起存储行业的广泛关注。

4F²架构的主要创新在于将DRAM存储单元的面积从传统的6F²缩小至4F²，相比之下，单元面积锐减了约30%，理论上集成密度则提升了约50%。三星在今年2月的ISSCC 2026会议上首次展示了其16Gb 4F² DRAM原型，该技术采用了垂直沟道晶体管（VCT）和晶圆级混合键合工艺。根据三星的计划，10a DRAM将在2026年完成开发，2027年开始进行质量测试，并预计在2028年实现量产，后续的10b和10c世代将持续对4F²架构进行优化。

与此同时，长鑫存储在10月9日至10日于上海举行的第四届集成芯片与芯粒大会上，由公司总裁曹堪宇宣布了他们将于年底发布结合4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。该产品采用自有研发的VSG垂直环绕栅极晶体管技术，旨在通过提升栅极控制和解决漏电问题来优化存储性能，长鑫已经申请了超过300项与4F²相关的公开专利。

尽管长鑫的宣布一度让市场认为其在4F²技术上领先三星约两年，但多位分析师对此持保留态度。投资机构Rosenblatt认为，目前对长鑫是否真正领先的判断还为时尚早。美国银行指出，美国对于先进半导体制造设备的出口限制，可能促使长鑫更依赖于单元结构的创新，而非高端光刻工艺来减小芯片面积。韩国半导体专家也评论，长鑫的发布缺乏关于大规模量产或样品供应的具体商业信息，甚至没有详细的产品规格和发布时间，这更像是一种营销策略的预告，而不是一种即将量产的明确信号。